TMR1223 磁开关芯片是集成了隧道磁阻（TMR） 传感器和 CMOS 电路的双极锁存型磁开关芯片，能将 变化的磁场信号转化为数字电压信号， 以实现位置的 精确检测。该产品包括 X 轴和 Y 轴两轴、两通道、双 极锁存开关信号输出，每通道独立供电和输出。

该开关芯片工作电压范围为 3 V ~ 40 V, 芯片单轴 静态供电电流低至 0.5 mA，并且保持了 100 kHz 的磁 信号响应频率。TMR1223 磁开关芯片采用了标准的 DFN8L (3 mm × 3 mm × 0.75 mm) 封装。

典型应用

接近开关

速度检测

线性及旋转位置检测

线性及旋转方向检测

产品选型

型号 工作电流 响应频率 工作温度 工作点 释放点 封装形式 包装形式 

TMR1223D 0.5 mA 0 ~ 100 kHz -40 °C ~ 125 °C 35 Gs -35 Gs DFN8L 卷带 

注：如需定制工作点 BOP、释放点 BRP，请联系多维科技区域销售代表。

MDT-Switch-Sensors-TMR1223-Datasheet-CN-V1.0.pdf