TMR1213是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。 与常规的磁开关相比，TMR1213 带有磁存储功能，在掉电情况下依然可以探测磁场极性变化，并存储在磁存储单元中，上电后可 以立刻读取最近一次的磁场极性状态。TMR1213采用TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括电压发生器、比较器、施密特触发器 和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1213通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许 宽的工作电压范围。TMR1213以低电压工作、1微安级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为 众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1213采用封装形式为SOT23-3和TO92S，所对应的产品型为TMR1213 S和TMR1213T。

典型应用

计量仪表，水表气表，热量表

电梯门机双稳开关

固态开关

速度检测

线性及旋转位置检测

MDT-Switch-Sensors-TMR1213-Datasheet-CN-V1.0.pdf